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Sic基板干法刻蚀

有望在下一代功率部件中大显身手的SiC。用干法刻蚀实现了不出现不必要的沟槽的SiC基板的垂直微刻蚀。无论是实验生产还是少量生产等都请与我们联系。

规格	加工对象	SiC
	加工晶片尺寸	4～6英寸
	刻蚀深度	1um～
	L/S	1um
	形状	垂直形状（80°以上）

※关于形状、有可能随客户的设计而有所改变。

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