Silicon Sensing提供的服务项目中关于Si深层刻蚀加工(DRIE)的介绍。

概要
晶圆尺寸
25片/批次
薄膜材料
　・Al2O3 , HfO2
　・Ta2O5 ,TiO2 , SiO2 , ZnO（准备中）

装置　Picosun P-300B Advanced ALD

优点
可以准确地控制膜厚，具有原子级的精准度
可沉积于高深宽比的结构
具有极佳的阶梯覆盖性
薄膜致密且没有孔状缺陷
低温沉积

实例
Silicon Sensing将ALD 薄膜优化并作为敝社PZT薄膜的保护膜，实现了高度可靠性。