工序一览表

Silicon Sensing少量生产可提供的现有工序有以下类型。若是试验制作的话，这里没有的也可以承接。请您先联系我们。

现有工序

主要技术	环节	规格	备注	相应尺寸
光刻	Si深层刻蚀反应离子深刻蚀 ASE-PEGASUS	最小线宽:L/S1.0μm 孔径Φ2μm 最大长宽比:100	可以基板通孔加工	4, 5, 6, 8英寸
	干法刻蚀 (单)	金属膜、PZT、氧化膜保护膜等		4, 5, 6, 8英寸
	SiC基板 (单)	深度：1μm～ L/S1.0um		4, 5, 6英寸
	湿法刻蚀 (バッチ)	Au、Al、Ti、Cr等		4, 5, 6英寸
成膜	压电膜(PZT)	膜厚:1~5μm(标准3μm)	相对介电常数εr:900 压电特性d31:220pm/V ※本公司代表值	4, 5, 6, 8英寸
	金属膜	均匀度:面内5%以内膜厚度范围:10nm~2μm	Au、Pt、Al、Ti、Cr、Cu 除了上述之外的也可以	4, 5, 6英寸
	绝缘膜	均匀度:面内5%以内最大膜厚:2μm ※参考值	SiO2、SiN 等根据规格的不同其均匀度有所不同	4, 5, 6, 8英寸
氧化、扩散	氧化（单）			4, 5, 6, 8英寸
氧化、扩散	退火(批)			4, 5, 6, 8英寸
光刻	涂保护膜 (单)	正型光刻胶膜厚均一性:面内5%以内最大膜厚:10μm	在凹凸的基板上也可以涂保护膜（喷涂）	4, 5, 6, 8英寸
	曝光（单）	最小线幅:L/S1.5μm	镜面投影式曝光	4, 5, 6英寸
		最小线幅:L/S3μm 可以双面对齐方式	接触式/ 接近式曝光	4, 5, 6英寸
		最小線幅:L/S1μm	步进重复投影式曝光	5, 6, 8英寸
	現像(单)		有机碱性、无机碱性	4, 5, 6, 8英寸
干膜 (单)	最小线幅:L/S15μm 孔径Φ50μm			4, 5, 6英寸
键合	阳极连接（可封装)	封装内部压力:>0.01Pa	Si/玻璃	4, 5, 6英寸
键合	晶片键合	Au-Au・Au-Sn・树脂		4, 5, 6英寸
玻璃加工	喷砂 (批)	最小线幅:L/S15μm 最大孔径 50μm		4, 5, 6英寸
玻璃加工	玻璃刻蚀 (批)	最小线幅:L/S10μm 最深:300μm		4, 5, 6英寸
加工	背面研磨	面内分布:5μm		4, 5, 6, 8英寸
加工	切割			4, 5, 6, 8英寸
评价	XRF EDX Zygo SEM			4, 5, 6英寸

Silicon Sensing提供的服务中关于程序項目的介绍。

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