SiC기판 드라이에칭 가공서비스
차세대 파워디바이스에 활용이 기대되는 SiC. SiC기판의 수직미세가공을 서브 트렌치없이 드라이에칭으로 실현시켰습니다. 테스트, 소량도 대응가능하므로 부담없이 문의주십시오.
사양 |
가공대상 |
SiC |
가공 웨이퍼 사이즈 |
4~6인치 |
에칭 깊이 |
1um~ |
L/S |
1um |
에칭 형상 |
수직형상(80°이상) |
※형상은, 고객 디자인에 좌우되는 경우가 있습니다.
*본 사이트에서는 「파운드리」「펀드리」 등 혼용을 피하기 위해, 「파운드리」로 통일하여 표기합니다.