シリコンセンシングが提供するファンドリサービスにおけるプロセスメニューについてご紹介します。

プロセスメニュー

シリコンセンシングが展開するMEMSファンドリサービスの中で、少量生産で処理可能なプロセスは以下をご覧ください。試作ではメニューにないプロセスも対応いたしますので、お気軽に相談ください。

処理可能プロセス
主要技術 工程 プロセス仕様 備考 対応サイズ
エッチング

Si深掘り
Deep RIE
ASE-PEGASUS

最小線幅:L/S1.0μm
ホ ー ルΦ2μm
最大アスペクト比:100

基板貫通加工の
対応可能

4, 5, 6, 8インチ

ドライエッチング
(枚葉)

金属膜、PZT、酸化膜
レジスト等

  4, 5, 6, 8インチ

SiC基板
(枚葉)

エッチング深さ:1μm~
L/S1.0um

  4, 5, 6インチ

ウェットエッチング
(バッチ)

Au、Al、Ti、Cr等   4, 5, 6インチ
成膜

圧電薄膜(PZT) 膜厚:1~5μm(標準3μm)

比誘電率εr:900
圧電特性d31:220pm/V
※弊社代表値

4, 5, 6, 8インチ
金属膜

膜厚均一性:面内5%以内
膜厚範囲:10nm~2μm

Au、Pt、Al、Ti、Cr、Cu
上記以外の成膜も可能

4, 5, 6インチ
絶縁膜

膜厚均一性:面内5%以内
最大膜厚:2μm
※参考値

SiO2、SiN 等
※仕様により均一性等異なります

4, 5, 6, 8インチ
酸化、拡散 酸化(バッチ)     4, 5, 6, 8インチ

アニール(バッチ)

    4, 5, 6, 8インチ
フォトリソ

レジスト塗布
(枚葉)

ポジレジスト
膜厚均一性:面内5%以内
最大膜厚:10μm

段差のある基板への
レジスト塗布も対応可能
(スプレーコート)

4, 5, 6, 8インチ
露光(枚葉) 最小線幅:L/S1.5μm

ミラープロジェクション
露光

4, 5, 6インチ

最小線幅:L/S3μm
両面アライメント可能

コンタクト/
プロキシミティ露光

4, 5, 6インチ
最小線幅:L/S1μm

ステッパー
露光

5, 6, 8インチ
現像(枚葉)  

有機アルカリ、無機アルカリ

4, 5, 6, 8インチ

ドライフィルム
(枚葉)

最小線幅:L/S15μm
ホ ー ルΦ50μm

    4, 5, 6インチ
接合

陽極接合
(封止可)

封止内部圧力:>0.01Pa Si/ガラス 4, 5, 6インチ
ウエハ接合 Au-Au・Au-Sn・樹脂   4, 5, 6インチ
ガラス加工

ブラスト加工
(バッチ)

最小線幅:L/S15μm
ホ ー ル 50μmピッチ

  4, 5, 6インチ

ガラスエッチング
(バッチ)

最小線幅:L/S10μm
最大深さ:300μm

  4, 5, 6インチ
加工 バックグラインド 面内分布:5μm   4, 5, 6, 8インチ
ダイシング     4, 5, 6, 8インチ
評価

XRF
EDX
Zygo
SEM

    4, 5, 6インチ

 
*当サイトでは「ファンドリ」「ファウンドリ」「ファンダリ」「ファウンダリ」等のあいまい表現を避けるため、表記を「ファンドリ」に統一しております。