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프로세스 메뉴

실리콘센싱의 MEMS 파운드리 서비스 중에서, 소량생산으로 처리가능한 프로세스는 아래를 참고해 주십시오. 테스트 제품의 경우, 메뉴에 없는 프로세스도 대응가능하므로 부담없이 문의 주십시오.

처리가능 프로세스

주요기술	공정	프로세스 사양	비고	대응 사이즈
에칭	Si 심굴 Deep RIE ASE-PEGASUS	최소선 폭:L/S1.0μm 홀 Φ2μm 최대 아스펙트비 : 100	기판 관통가공 대응가능	4, 5, 6, 8인치
	드라이에칭 (매엽)	금속막, PZT, 산화막 레지스트 등		4, 5, 6, 8인치
	SiC기판 (매엽)	에칭 깊이：1μm～ L/S1.0um		4, 5, 6인치
	습식에칭 (バッチ)	Au、Al、Ti、Cr 등		4, 5, 6인치
성막	압전박막(PZT)	막두께:1~5μm(표준 3μm)	비유전율 εr:900 압전특성 d31: 220pm/V ※자사 대표값	4, 5, 6, 8인치
	금속막	막두께 균일성: 면내 5%이내 막두께 범위: 10nm~2μm	Au、Pt、Al、Ti、Cr、Cu 상기 이외의 성막도 가능	4, 5, 6인치
	절연막	막두께 균일성: 면내 5%이내 최대 막두께 : 2μm ※참고치	SiO2、SiN 등 ※사양에 따라 균일성 등이 달라집니다.	4, 5, 6, 8인치
산화, 확산	산화(배치)			4, 5, 6, 8인치
산화, 확산	담금질(배치)			4, 5, 6, 8인치
포트리소	레지스트 도포 (매엽)	포지형 레지스트 막두께 균일성: 면내 5%이내 최대 막두께 : 10μm	단차가 있는 기판의 레지스트 도포도 대응가능(뿜칠)	4, 5, 6, 8인치
	노광(매엽)	최소선 폭 : L/S1.5μm	미러 프로젝션 노광	4, 5, 6인치
		최소선 폭 : L/S3μm 양면 얼라이먼트 가능	콘택트/ 프록시미티 노광	4, 5, 6인치
		최소선 폭 : L/S1μm	스텝퍼 노광	5, 6, 8인치
	현상(매엽)		유기 알칼리, 무기 알칼리	4, 5, 6, 8인치
드라이필름 (매엽)	최소선 폭 : L/S15μm 홀 Φ50μm			4, 5, 6인치
접합	앙극접합 (패키징 가능)	패키징 내부압력:>0.01Pa	Si/ガラス	4, 5, 6인치
접합	웨이퍼 접합	Au-Au・Au-Sn・수지		4, 5, 6인치
유리가공	블라스트 가공 (배치)	최소선 폭:L/S15μm 홀 50μm 핏치		4, 5, 6인치
유리가공	유리 에칭 (배치)	최소선 폭 : L/S10μm 최대 깊이 : 300μm		4, 5, 6인치
가공	백그라인드	면내 분포 : 5μm		4, 5, 6, 8인치
가공	다이싱			4, 5, 6, 8인치
평가	XRF EDX Zygo SEM			4, 5, 6인치

실리콘센싱이 제공하는 파운드리 서비스의 프로세스 메뉴를 소개합니다.

프로세스 메뉴

*본 사이트에서는 「파운드리」「펀드리」 등 혼용을 피하기 위해, 「파운드리」로 통일하여 표기합니다.